SI3417DV-T1-GE3
Скачать datasheet 04023J0R3ABSTR.pdf Файл формата Pdf (20 страниц, 397,88 kb)
SI3417DV-T1-GE3 datasheet
-
МаркировкаSI3417DV-T1-GE3
-
ПроизводительSiliconix
-
ОписаниеSiliconix SI3417DV-T1-GE3 Product Category: N-Channel MOSFETs RoHS: yes Transistor Polarity: P-Channel Drain-Source Breakdown Voltage: - 30 V Gate-Source Breakdown Voltage: +/- 20 V Continuous Drain Current: 8 A Rds On: 30 mOhms Configuration: Single Maximum Operating Temperature: + 150 C Mounting Style: SMD/SMT Package / Case: TSOP-6 Brand: Vishay / Siliconix Fall Time: 16 ns Forward Transconductance - Min: 23 S Gate Charge Qg: 32 nC Minimum Operating Temperature: - 55 C Power Dissipation: 4.2 W Rise Time: 35 ns Factory Pack Quantity: 3000 Tradename: TrenchFETr Typical Turn-Off Delay Time: 40 ns
-
Количество страниц11 шт.
-
Форматы файлаHTML, PDF
Где можно купить
Новости электроники
04.06.2024
03.06.2024
03.06.2024