SI1965DH-T1-GE3 datasheet
Скачать datasheet 04023J0R3ABSTR.pdf Файл формата Pdf (20 страниц, 397,88 kb)
О ДАТАШИТЕ
-
МаркировкаSI1965DH-T1-GE3
-
ПроизводительSiliconix
-
ОписаниеVishay Intertechnology SI1965DH-T1-GE3 Channel Type: Dual P-Channel Drain-to-Source Voltage [Vdss]: 12 V Drain-Source On Resistance-Max: 0.39 ?© Qg Gate Charge: 1.7 nC Rated Power Dissipation: 0.8 W
-
Количество страниц12 шт.
-
Форматы файлаHTML, PDF
Где можно купить
Новости электроники
25.05.2024
24.05.2024
22.05.2024